| SI5424DC-T1-E3 | |
|---|---|
| Osa numero | SI5424DC-T1-E3 |
| Valmistaja | Vishay / Siliconix |
| Kuvaus | MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8 |
| Määrä saatavilla | 50000 pcs new original in stock. Pyydä Stock & Quotation |
| ECAD -malli | |
| lomakkeissa | |
| SI5424DC-T1-E3 Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| SI5424DC-T1-E3: n tekniset tiedot | |||
|---|---|---|---|
| Valmistajan osanumero | SI5424DC-T1-E3 | Kategoria | Discrete Semiconductor Products |
| Valmistaja | Vishay / Siliconix | Kuvaus | MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8 |
| Pakkaus / kotelo | Tape & Reel (TR) | Määrä saatavilla | 50000 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA | teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package | 1206-8 ChipFET™ | Sarja | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 4.8A, 10V | Tehonkulutus (Max) | 2.5W (Ta), 6.25W (Tc) |
| Pakkaus | Tape & Reel (TR) | Pakkaus / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) | Asennustyyppi | Surface Mount |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 15V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| FET tyyppi | N-Channel | FET Ominaisuus | - |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 30V | Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| ladata | SI5424DC-T1-E3 PDF - EN.pdf | ||
Lähetä meille sähköpostia: Info@Ariat-Tech.com tai RFQ SI5424DC-T1-E3 Online.
| SI5424DC-T1-E3 Varasto | SI5424DC-T1-E3 Hinta | SI5424DC-T1-E3 Elektroniikka |
| SI5424DC-T1-E3-komponentit | SI5424DC-T1-E3 Inventory | SI5424DC-T1-E3 Digikey |
| Toimittaja SI5424DC-T1-E3 | Tilaa SI5424DC-T1-E3 Online | Kysely SI5424DC-T1-E3 |
| SI5424DC-T1-E3 Kuva | SI5424DC-T1-E3 Kuva | SI5424DC-T1-E3 PDF |
| SI5424DC-T1-E3-tietosivu | Lataa SI5424DC-T1-E3-tietolomake | Valmistaja Vishay / Siliconix |
Sähköposti: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LISÄTÄ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Tekijänoikeusilmoitus © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Kaikki oikeudet pidätetään.