Teollinen ja laajennettu koe DDR SDRAM

Insignisin DDR SDRAM -laitteet takaavat toiminnon korotetuissa liittymän lämpötiloissa johtuen omaa laajennetusta testivirrastaan

Suurnopeus CMOS-DDR-synkroninen DRAM on tarkistettu Insignis & rsquo; oma laajennettu testivirta lieventääkseen varhaisia ​​toimintahäiriöitä ja takaavat laadukkaan laadun ja pitkän aikavälin luotettavuuden teolliseen käyttöön. Se on synkroninen liitäntä (kaikki signaalit on merkitty kellosignaalin positiiviselle reunalle, CK). Tietolähdöt esiintyvät CK: n nousevan reunan kohdalla ja luku- ja kirjoituskortit SDRAM: ään ovat burst-suuntaisia; aloittaa valitun sijainnin ja jatkaa ohjelmoidun määrän paikkoja ohjelmoidussa järjestyksessä. Pääsy alkaa pankin aktivointikomennon rekisteröinnillä, jota seuraa sitten luku- tai kirjoituskomento.

Laite mahdollistaa 2, 4 tai 8 ohjelmoitavissa olevien lukemien tai kirjoituspurskeiden tallentamisen. Automaattinen esijäähdytystoiminto voidaan ottaa käyttöön tuottamaan itsetuhattu riviprecharge, joka käynnistyy purskejakson lopussa. Päivitystoiminnot, joko automaattinen tai itsenäinen päivitys, ovat helppokäyttöisiä. Lisäksi 512 Mb DDR SDRAM sisältää ohjelmoitavan DLL-vaihtoehdon.

Ohjelmoitavalla tilarekisterillä ja laajennetun tilan rekisterillä järjestelmä voi valita sopivimmat toimintatilat suorituskyvyn maksimoimiseksi. Nämä laitteet soveltuvat hyvin sovelluksiin, joissa tarvitaan paljon muistia kaistanleveyttä, jolloin laite sopii erityisen hyvin korkean suorituskyvyn päämuisti- ja grafiikkasovelluksiin.