SI5418DU-T1-GE3 | |
---|---|
Osa numero | SI5418DU-T1-GE3 |
Valmistaja | Vishay / Siliconix |
Kuvaus | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET |
Määrä saatavilla | 2550 pcs new original in stock. Pyydä Stock & Quotation |
ECAD -malli | |
lomakkeissa | |
SI5418DU-T1-GE3 Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat-tech.com |
SI5418DU-T1-GE3: n tekniset tiedot | |||
---|---|---|---|
Valmistajan osanumero | SI5418DU-T1-GE3 | Kategoria | Discrete Semiconductor Products |
Valmistaja | Vishay / Siliconix | Kuvaus | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET |
Pakkaus / kotelo | Tape & Reel (TR) | Määrä saatavilla | 2550 pcs |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | Toimittaja Device Package | PowerPAK® ChipFet Single |
Sarja | TrenchFET® | RDS (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 7.7A, 10V |
Tehonkulutus (Max) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) | Pakkaus | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case | PowerPAK® ChipFET™ Single | Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Surface Mount | Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V | FET tyyppi | N-Channel |
FET Ominaisuus | - | Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Valua lähde jännite (Vdss) | 30V | Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
ladata | SI5418DU-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
SI5418DU-T1-GE3 Varasto | SI5418DU-T1-GE3 Hinta | SI5418DU-T1-GE3 Elektroniikka |
SI5418DU-T1-GE3-komponentit | SI5418DU-T1-GE3 Inventory | SI5418DU-T1-GE3 Digikey |
Toimittaja SI5418DU-T1-GE3 | Tilaa SI5418DU-T1-GE3 Online | Kysely SI5418DU-T1-GE3 |
SI5418DU-T1-GE3 Kuva | SI5418DU-T1-GE3 Kuva | SI5418DU-T1-GE3 PDF |
SI5418DU-T1-GE3-tietosivu | Lataa SI5418DU-T1-GE3-tietolomake | Valmistaja Vishay / Siliconix |
Sähköposti: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LISÄTÄ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.