| STH150N10F7-2 | |
|---|---|
| Osa numero | STH150N10F7-2 |
| Valmistaja | STMicroelectronics |
| Kuvaus | MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2 |
| Määrä saatavilla | 21288 pcs new original in stock. Pyydä Stock & Quotation |
| lomakkeissa | 1.STH150N10F7-2.pdf2.STH150N10F7-2.pdf3.STH150N10F7-2.pdf4.STH150N10F7-2.pdf |
| STH150N10F7-2 Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| STH150N10F7-2: n tekniset tiedot | |||
|---|---|---|---|
| Valmistajan osanumero | STH150N10F7-2 | Kategoria | Discrete Semiconductor Products |
| Valmistaja | STMicroelectronics | Kuvaus | MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2 |
| Pakkaus / kotelo | H2Pak-2 | Määrä saatavilla | 21288 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | Toimittaja Device Package | H2Pak-2 |
| Sarja | DeepGATE™, STripFET™ VII | RDS (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 55A, 10V |
| Tuotetila | Active | Tehonkulutus (Max) | 250W (Tc) |
| Pakkaus / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Paketti | Tape & Reel (TR) |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 175°C (TJ) | Asennustyyppi | Surface Mount |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 8115 pF @ 50 V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117 nC @ 10 V |
| FET tyyppi | N-Channel | FET Ominaisuus | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Valua lähde jännite (Vdss) | 100 V |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) | Perustuotteenumero | STH150 |
| ladata | STH150N10F7-2 PDF - EN.pdf | ||
STH150N10F7-2
N-kanava MOSFET, joka on suunniteltu korkean tehokkuuden energianhallintasovelluksiin.
STMicroelectronics
N-kanava MOSFET
Parannettu tehokkuus ja lämpösuorituskyky
Sopii tiheän tehon sovelluksiin
Korkea jatkuva purkuvirta 110A
Alhainen päällä-impedanssi 3.9 mOhm
Purku-jännite: 100V
Jatkuva purkuvirta: 110A
Tehon hukkuminen: 250W
Päällä-impedanssi: 3.9 mOhm
Portti-virta: 117nC
Sisääntulo-kapasiteetti: 8115pF
Ohjausjännite: 10V
Maksimaalinen portti-lähdejännite: ±20V
Paketti / Kuori: TO-263-3, DPak (2 johtoa + tab) , TO-263AB
Pakkaus: Teippi & Kelat (TR)
Kosteuden herkkyysluokka (MSL): 1 (rajoitukseton)
Lyijyttöinen ja RoHS-yhteensopiva ympäristön turvallisuuden takaamiseksi
Korkea virran kapasiteetti ja tehokkuus energian muuntamisessa
Kilpailukykyisesti asemoitu teho MOSFET -markkinasegmenteissä
Yhteensopiva pintamontointitekniikan kanssa helpompaa kokoonpanoa varten
RoHS-yhteensopiva
Lyijyttömän tilan sertifointi
Suunniteltu pitkäaikaiseen luotettavuuteen eri käyttöympäristöissä
Virtalähteet
Moottoriohjaukset
Akun hallintajärjestelmät
Kytkentäregulaattorit
| STH150N10F7-2 Varasto | STH150N10F7-2 Hinta | STH150N10F7-2 Elektroniikka | |||
| STH150N10F7-2-komponentit | STH150N10F7-2 Inventory | STH150N10F7-2 Digikey | |||
| Toimittaja STH150N10F7-2 | Tilaa STH150N10F7-2 Online | Kysely STH150N10F7-2 | |||
| STH150N10F7-2 Kuva | STH150N10F7-2 Kuva | STH150N10F7-2 PDF | |||
| STH150N10F7-2-tietosivu | Lataa STH150N10F7-2-tietolomake | Valmistaja | |||
| STH150N10F7-2: n vastaavat osat | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Kuva | Osa numero | Kuvaus | Valmistaja | Saat lainata | |
![]() |
STH140N8F7-2 | MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2 | STMicroelectronics | ||
![]() |
STH13NB60FI | STH13NB60FI ST | ST | ||
![]() |
STH15NB50F | STH15NB50F ST | ST | ||
![]() |
STH160N4LF6-2 MOS | ST TO-263 | ST | ||
![]() |
STH15810-2 MOSFETIGBTIC | ST TO263 | ST | ||
![]() |
STH160N4LF6-2 | MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2 | STMicroelectronics | ||
![]() |
STH15810-2Z1 | SY TO263 | SY | ||
![]() |
STH15810-2 15810 | ST TO-263 | ST | ||
![]() |
STH15NB50FI | MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218 | STMicroelectronics | ||
![]() |
STH140N6F7 | ST | |||
![]() |
STH15NA50FI | STH15NA50FI ST | ST | ||
![]() |
STH15810-2 IC | ST TO-263 | ST | ||
![]() |
STH140N6F7-2 | MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2 | STMicroelectronics | ||
![]() |
STH143002.1 | UTAC LQFP48 | UTAC | ||
![]() |
STH145N8F7-2AG | MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2 | STMicroelectronics | ||
![]() |
STH13NB60F1 | STH13NB60F1 ST | ST | ||
| STH140N6F7-6 | MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-6 | STMicroelectronics | |||
![]() |
STH143004.1 | STH QFP48 | STH | ||
![]() |
STH14808-2 | STH14808-2 ST | ST | ||
![]() |
STH15810-2 | STH15810-2 ST | ST | ||
Uutiset
Lisää
19. huhtikuuta 2026 (paikallista aikaa) asiaan perehtyneisiin lähteisiin viittaavat tiedotusvälineet paljastivat, että Google, Alphabetin tytäryht...

*The Business Timesin* mukaan TSMC:n CoPoS-koetuotantolinja (Chip-on-Panel-on-Substrate) aloitti laitteiden toimittamisen T&K-tiimilleen helmikuussa, ...

Yhdysvaltain tekoälyteknologian jättiläinen Anthropic ilmoitti 6. huhtikuuta paikallista aikaa, että se on allekirjoittanut uuden sopimuksen Googl...

Huhtikuun 1. päivänä Microsoft ilmoitti investoivansa 5,5 miljardia dollaria Singaporeen jatkaakseen pilvi- ja tekoäly-infrastruktuurinsa laajenta...

Samsung Electronics toimittaa ensimmäisenä uuden sukupolven HBM4:n yksinoikeudella OpenAI:lle, maailman suurimmalle tekoälyyritykselle, jonka pää...
Uudet tuotteet
Lisää
Texas Instruments TPS92542-Q1 -synkroninen lisäysohjain sisältää synkronisen lisäysohjaimen ja kaksikanavaisen monoliitisen synkronisen Buck-LED-...

TOSHIBA TB67H453 Yksikanava H-Bridge -ohjaimella on virranvalvontatoiminto, jolla on jännitteen palaute Isense-lähtötapinasta.Laitteen absoluuttine...

STMICROESCONICS STSAFE-A120-todennus ICS ovat erittäin turvallisia integroituja piirejä, jotka on suunniteltu suojaamaan arkaluontoisia tietoja ja l...

STMICROESCONICS STSAFE-A-Optimoitu todennus ICS: n hyödyntäminen edistyneisiin salausalgoritmeihin ja avainhallintatekniikoihin arkaluontoisten tiet...

Diodit sisältävät PI3DPX1235Q 6: 4 CrossBar Lineaarinen uudelleentarkastus tukee DP-linkkien kouluttamista läpinäkyvää lähdepuolen sovelluksil...
Sähköposti: Info@ariat-tech.comHK TEL: +852 30501966LISÄTÄ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.