| FDP027N08B | |
|---|---|
| Osa numero | FDP027N08B |
| Valmistaja | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Kuvaus | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 |
| Määrä saatavilla | 31500 pcs new original in stock. Pyydä Stock & Quotation |
| ECAD -malli | |
| lomakkeissa | FDP027N08B.pdf |
| FDP027N08B Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| FDP027N08B: n tekniset tiedot | |||
|---|---|---|---|
| Valmistajan osanumero | FDP027N08B | Kategoria | Discrete Semiconductor Products |
| Valmistaja | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Kuvaus | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 |
| Pakkaus / kotelo | Tube | Määrä saatavilla | 31500 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | Toimittaja Device Package | TO-220-3 |
| Sarja | PowerTrench® | RDS (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 100A, 10V |
| Tehonkulutus (Max) | 246W (Tc) | Pakkaus | Tube |
| Pakkaus / Case | TO-220-3 | Käyttölämpötila | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole | Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant | Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 13530pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 178nC @ 10V | FET tyyppi | N-Channel |
| FET Ominaisuus | - | Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 80V | Yksityiskohtainen kuvaus | N-Channel 80V 120A (Tc) 246W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) | ||
| ladata | FDP027N08B PDF - EN.pdf | ||
Lähetä meille sähköpostia: Info@Ariat-Tech.com tai RFQ FDP027N08B Online.
| FDP027N08B Varasto | FDP027N08B Hinta | FDP027N08B Elektroniikka | |||
| FDP027N08B-komponentit | FDP027N08B Inventory | FDP027N08B Digikey | |||
| Toimittaja FDP027N08B | Tilaa FDP027N08B Online | Kysely FDP027N08B | |||
| FDP027N08B Kuva | FDP027N08B Kuva | FDP027N08B PDF | |||
| FDP027N08B-tietosivu | Lataa FDP027N08B-tietolomake | Valmistaja | |||
| FDP027N08B: n vastaavat osat | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Kuva | Osa numero | Kuvaus | Valmistaja | Saat lainata | |
 |
FDP027N06B | FDP027N06B FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP030N06B-F102 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP023N08B-F102 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP032N06 | FDP032N06 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP020N06BH | FDP020N06BH FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP027N08B-F102 | MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP030N06B | FDP030N06B FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP027N08B_F102 | MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 | N/A | ||
|
FDP025N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP023N08B_F102 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 | N/A | ||
|
FDP030N06B IC | FAIRCHILD TO-220 | FAIRCHILD | ||
|
FDP023N08B | FDP023N08B FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP027N08B MOS | ON TO-220 | ON | ||
|
FDP030N06B_F102 | FDP030N06B_F102 N/A | N/A | ||
|
FDP023N08BH | FAIRCHILD TO-220 | FAIRCHILD | ||
|
FDP030N06BTU | FDP030N06BTU FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP025N06 MOS | FAIRCHILD TO-220 | FAIRCHILD | ||
|
FDP020N06B-F102 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP020N06B_F102 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | N/A | ||
|
FDP030N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
Uutiset
Lisää
Teknologian edistyessä ja tietokauden saapuessa optiset verkot, tehokas ja luotettava tiedonsiirtomenetelmä, muuttavat elämäämme vähitellen.Tutk...
Semiconductor Industry Organisation Semi-Semi-Semi-Semi-Semi-Semi-Semi-Semi-Semi-Semital -yrityksen "Global Semiconductor Equipment Market Market -rap...
Ruotsin unioni, jos Metall ilmoitti 10. huhtikuuta, että Tesla -mekaniikan lakko on yksi maan pisimmistä työriitoista, ja se häiritsee edelleen Te...
Äskettäin suuret varastointivalmistajat, kuten Micron, Samsung ja Western Digital, ovat ilmoittaneet hinnankorotuksista.Teollisuuden sisäpiiriläis...
Ilmassa happipitoisuuden normaali tilavuusosuus on noin 20,9%, mutta kun happipitoisuus laskee tämän arvon alapuolelle, se voi johtaa hypoksiaan. Yl...
Uudet tuotteet
Lisää
PD30-sarjan valokenno Carlo Gavazziin pienet valokennoiset anturit ovat suorituskykyisiä kompakteis...
XC112 / XR112 arviointisarja A111-pulssoitua koherentti-tutkaa varten Acconeerin XC112- ja XR112-arv...
MINAS A6-sarjan servomoottorit ja moottorit Panasonicin MINAS A6 -tuote varmistaa vakaan käytön v...
UV-LED-ohjainkortti RayVion UV-LED-ohjainlevy XE- ja XP1-sarjan UV-C-säteilijöille RayVio ™ ult...
Teollinen ja laajennettu koe DDR SDRAM Insignisin DDR SDRAM -laitteet takaavat toiminnon korotetuiss...
Sähköposti: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LISÄTÄ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Tekijänoikeusilmoitus © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Kaikki oikeudet pidätetään.