SIA811DJ-T1-GE3 | |
---|---|
Osa numero | SIA811DJ-T1-GE3 |
Valmistaja | Vishay / Siliconix |
Kuvaus | MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6 |
Määrä saatavilla | 3047 pcs new original in stock. Pyydä Stock & Quotation |
ECAD -malli | |
lomakkeissa | |
SIA811DJ-T1-GE3 Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat-tech.com |
SIA811DJ-T1-GE3: n tekniset tiedot | |||
---|---|---|---|
Valmistajan osanumero | SIA811DJ-T1-GE3 | Kategoria | Discrete Semiconductor Products |
Valmistaja | Vishay / Siliconix | Kuvaus | MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6 |
Pakkaus / kotelo | Tape & Reel (TR) | Määrä saatavilla | 3047 pcs |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual | Sarja | LITTLE FOOT® |
RDS (Max) @ Id, Vgs | 94 mOhm @ 2.8A, 4.5V | Tehonkulutus (Max) | 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) |
Pakkaus | Tape & Reel (TR) | Pakkaus / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) | Asennustyyppi | Surface Mount |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 355pF @ 10V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 8V |
FET tyyppi | P-Channel | FET Ominaisuus | Schottky Diode (Isolated) |
Valua lähde jännite (Vdss) | 20V | Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
ladata | SIA811DJ-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
SIA811DJ-T1-GE3 Varasto | SIA811DJ-T1-GE3 Hinta | SIA811DJ-T1-GE3 Elektroniikka |
SIA811DJ-T1-GE3-komponentit | SIA811DJ-T1-GE3 Inventory | SIA811DJ-T1-GE3 Digikey |
Toimittaja SIA811DJ-T1-GE3 | Tilaa SIA811DJ-T1-GE3 Online | Kysely SIA811DJ-T1-GE3 |
SIA811DJ-T1-GE3 Kuva | SIA811DJ-T1-GE3 Kuva | SIA811DJ-T1-GE3 PDF |
SIA811DJ-T1-GE3-tietosivu | Lataa SIA811DJ-T1-GE3-tietolomake | Valmistaja Vishay / Siliconix |
Sähköposti: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LISÄTÄ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.