SIA433EDJ-T1-GE3 | |
---|---|
Osa numero | SIA433EDJ-T1-GE3 |
Valmistaja | Vishay / Siliconix |
Kuvaus | MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6 |
Määrä saatavilla | 33730 pcs new original in stock. Pyydä Stock & Quotation |
ECAD -malli | |
lomakkeissa | SIA433EDJ-T1-GE3.pdf |
SIA433EDJ-T1-GE3 Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat-tech.com |
SIA433EDJ-T1-GE3: n tekniset tiedot | |||
---|---|---|---|
Valmistajan osanumero | SIA433EDJ-T1-GE3 | Kategoria | Discrete Semiconductor Products |
Valmistaja | Vishay / Siliconix | Kuvaus | MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6 |
Pakkaus / kotelo | Tape & Reel (TR) | Määrä saatavilla | 33730 pcs |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA | Vgs (Max) | ±12V |
teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | Toimittaja Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Sarja | TrenchFET® | RDS (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 7.6A, 4.5V |
Tehonkulutus (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | Pakkaus | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case | PowerPAK® SC-70-6 | Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Surface Mount | Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 8V | FET tyyppi | P-Channel |
FET Ominaisuus | - | Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Valua lähde jännite (Vdss) | 20V | Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
ladata | SIA433EDJ-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
SIA433EDJ-T1-GE3 Varasto | SIA433EDJ-T1-GE3 Hinta | SIA433EDJ-T1-GE3 Elektroniikka |
SIA433EDJ-T1-GE3-komponentit | SIA433EDJ-T1-GE3 Inventory | SIA433EDJ-T1-GE3 Digikey |
Toimittaja SIA433EDJ-T1-GE3 | Tilaa SIA433EDJ-T1-GE3 Online | Kysely SIA433EDJ-T1-GE3 |
SIA433EDJ-T1-GE3 Kuva | SIA433EDJ-T1-GE3 Kuva | SIA433EDJ-T1-GE3 PDF |
SIA433EDJ-T1-GE3-tietosivu | Lataa SIA433EDJ-T1-GE3-tietolomake | Valmistaja Vishay / Siliconix |
Sähköposti: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LISÄTÄ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.