| SI7106DN-T1-GE3 | |
|---|---|
| Osa numero | SI7106DN-T1-GE3 |
| Valmistaja | Vishay / Siliconix |
| Kuvaus | MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8 |
| Määrä saatavilla | 25779 pcs new original in stock. Pyydä Stock & Quotation |
| ECAD -malli | |
| lomakkeissa | |
| SI7106DN-T1-GE3 Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| SI7106DN-T1-GE3: n tekniset tiedot | |||
|---|---|---|---|
| Valmistajan osanumero | SI7106DN-T1-GE3 | Kategoria | Discrete Semiconductor Products |
| Valmistaja | Vishay / Siliconix | Kuvaus | MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8 |
| Pakkaus / kotelo | Tape & Reel (TR) | Määrä saatavilla | 25779 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±12V |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | Toimittaja Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Sarja | TrenchFET® | RDS (Max) @ Id, Vgs | 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V |
| Tehonkulutus (Max) | 1.5W (Ta) | Pakkaus | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case | PowerPAK® 1212-8 | Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount | Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V | FET tyyppi | N-Channel |
| FET Ominaisuus | - | Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 20V | Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 12.5A (Ta) |
| ladata | SI7106DN-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Lähetä meille sähköpostia: Info@Ariat-Tech.com tai RFQ SI7106DN-T1-GE3 Online.
| SI7106DN-T1-GE3 Varasto | SI7106DN-T1-GE3 Hinta | SI7106DN-T1-GE3 Elektroniikka | |||
| SI7106DN-T1-GE3-komponentit | SI7106DN-T1-GE3 Inventory | SI7106DN-T1-GE3 Digikey | |||
| Toimittaja SI7106DN-T1-GE3 | Tilaa SI7106DN-T1-GE3 Online | Kysely SI7106DN-T1-GE3 | |||
| SI7106DN-T1-GE3 Kuva | SI7106DN-T1-GE3 Kuva | SI7106DN-T1-GE3 PDF | |||
| SI7106DN-T1-GE3-tietosivu | Lataa SI7106DN-T1-GE3-tietolomake | Valmistaja Vishay / Siliconix | |||
| SI7106DN-T1-GE3: n vastaavat osat | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Kuva | Osa numero | Kuvaus | Valmistaja | Saat lainata | |
 |
SI7107DN-T1-E3 | MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8 | Vishay Siliconix | ||
 |
SI7106 | SI7106 DFN33-8 | DFN33-8 | ||
|
SI7107DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7108DN | SI7108DN SI | SI | ||
 |
SI7106DN-T1 | VISHAY | |||
|
Si7106DN-T1-GE3 MOS | VISHAY DFN3X3-8 | VISHAY | ||
|
SI7106DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7107DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7106JN-T1-GE3 | SI7106JN-T1-GE3 VISHAY | VISHAY | ||
|
SI7104DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7104DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7104DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7106DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7106DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7108DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI7107DN-T1-E3 | MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7106DN-T1-E3 MOS | VISHAY QFN8 | VISHAY | ||
|
SI7108DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI7106DN | SI7106DN VISHAY | VISHAY | ||
|
SI7108DN-T1-E3 MOS | VISHAY QFN8 | VISHAY | ||
Uutiset
Lisää
Semiconductor Industry Organisation Semi-Semi-Semi-Semi-Semi-Semi-Semi-Semi-Semi-Semital -yrityksen "Global Semiconductor Equipment Market Market -rap...
Ruotsin unioni, jos Metall ilmoitti 10. huhtikuuta, että Tesla -mekaniikan lakko on yksi maan pisimmistä työriitoista, ja se häiritsee edelleen Te...
Äskettäin suuret varastointivalmistajat, kuten Micron, Samsung ja Western Digital, ovat ilmoittaneet hinnankorotuksista.Teollisuuden sisäpiiriläis...
Ilmassa happipitoisuuden normaali tilavuusosuus on noin 20,9%, mutta kun happipitoisuus laskee tämän arvon alapuolelle, se voi johtaa hypoksiaan. Yl...
Äskettäin ASML: n (ASML: n hallussapito N.V.) mahdollisuuteen siirtämällä osan liiketoiminnastaan ulkomaille, Alankomaiden hallitus on ehdottanut...
Uudet tuotteet
Lisää
PD30-sarjan valokenno Carlo Gavazziin pienet valokennoiset anturit ovat suorituskykyisiä kompakteis...
XC112 / XR112 arviointisarja A111-pulssoitua koherentti-tutkaa varten Acconeerin XC112- ja XR112-arv...
MINAS A6-sarjan servomoottorit ja moottorit Panasonicin MINAS A6 -tuote varmistaa vakaan käytön v...
UV-LED-ohjainkortti RayVion UV-LED-ohjainlevy XE- ja XP1-sarjan UV-C-säteilijöille RayVio ™ ult...
Teollinen ja laajennettu koe DDR SDRAM Insignisin DDR SDRAM -laitteet takaavat toiminnon korotetuiss...
Sähköposti: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LISÄTÄ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Tekijänoikeusilmoitus © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Kaikki oikeudet pidätetään.