| SI5402DC-T1-GE3 | |
|---|---|
| Osa numero | SI5402DC-T1-GE3 |
| Valmistaja | Vishay / Siliconix |
| Kuvaus | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 |
| Määrä saatavilla | 2682 pcs new original in stock. Pyydä Stock & Quotation |
| ECAD -malli | |
| lomakkeissa | |
| SI5402DC-T1-GE3 Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| SI5402DC-T1-GE3: n tekniset tiedot | |||
|---|---|---|---|
| Valmistajan osanumero | SI5402DC-T1-GE3 | Kategoria | Discrete Semiconductor Products |
| Valmistaja | Vishay / Siliconix | Kuvaus | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 |
| Pakkaus / kotelo | Tape & Reel (TR) | Määrä saatavilla | 2682 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) | teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package | 1206-8 ChipFET™ | Sarja | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 4.9A, 10V | Tehonkulutus (Max) | 1.3W (Ta) |
| Pakkaus | Tape & Reel (TR) | Pakkaus / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) | Asennustyyppi | Surface Mount |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | - | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| FET tyyppi | N-Channel | FET Ominaisuus | - |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 30V | Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 4.9A (Ta) |
| ladata | SI5402DC-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Lähetä meille sähköpostia: Info@Ariat-Tech.com tai RFQ SI5402DC-T1-GE3 Online.
| SI5402DC-T1-GE3 Varasto | SI5402DC-T1-GE3 Hinta | SI5402DC-T1-GE3 Elektroniikka | |||
| SI5402DC-T1-GE3-komponentit | SI5402DC-T1-GE3 Inventory | SI5402DC-T1-GE3 Digikey | |||
| Toimittaja SI5402DC-T1-GE3 | Tilaa SI5402DC-T1-GE3 Online | Kysely SI5402DC-T1-GE3 | |||
| SI5402DC-T1-GE3 Kuva | SI5402DC-T1-GE3 Kuva | SI5402DC-T1-GE3 PDF | |||
| SI5402DC-T1-GE3-tietosivu | Lataa SI5402DC-T1-GE3-tietolomake | Valmistaja Vishay / Siliconix | |||
| SI5402DC-T1-GE3: n vastaavat osat | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Kuva | Osa numero | Kuvaus | Valmistaja | Saat lainata | |
 |
SI5404DC | SI5404DC VISHAY | VISHAY | ||
 |
SI5404BDC-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI5402DC-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI5402DC-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI5404DC-T1 | SI5404DC-T1 VISHAY | VISHAY | ||
|
SI5404BDC-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8 | Vishay Siliconix | ||
 |
SI5403DC-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI5404 | SI5404 VISHAY | VISHAY | ||
|
SI5402BDC-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI5404BDC-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI5402DC | SI5402DC VISHAY | VISHAY | ||
|
SI5404BDC-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI5402BDC-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI5401DC-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SI5402BDC-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI5402BDC-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI5402DC-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI5402DC-T1 | SI5402DC-T1 VISHAY | VISHAY | ||
|
SI5403DC | VISHAY 2020+RoHS | VISHAY | ||
|
SI5403DC-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
Uutiset
Lisää
Ruotsin unioni, jos Metall ilmoitti 10. huhtikuuta, että Tesla -mekaniikan lakko on yksi maan pisimmistä työriitoista, ja se häiritsee edelleen Te...
Äskettäin suuret varastointivalmistajat, kuten Micron, Samsung ja Western Digital, ovat ilmoittaneet hinnankorotuksista.Teollisuuden sisäpiiriläis...
Ilmassa happipitoisuuden normaali tilavuusosuus on noin 20,9%, mutta kun happipitoisuus laskee tämän arvon alapuolelle, se voi johtaa hypoksiaan. Yl...
Äskettäin ASML: n (ASML: n hallussapito N.V.) mahdollisuuteen siirtämällä osan liiketoiminnastaan ulkomaille, Alankomaiden hallitus on ehdottanut...
Ensimmäisellä vuosineljänneksellä puolijohdeteollisuus on lähestymässä defektin loppua, muistin hinnat nousevat edelleen.Onko markkinoiden kysy...
Uudet tuotteet
Lisää
PD30-sarjan valokenno Carlo Gavazziin pienet valokennoiset anturit ovat suorituskykyisiä kompakteis...
XC112 / XR112 arviointisarja A111-pulssoitua koherentti-tutkaa varten Acconeerin XC112- ja XR112-arv...
MINAS A6-sarjan servomoottorit ja moottorit Panasonicin MINAS A6 -tuote varmistaa vakaan käytön v...
UV-LED-ohjainkortti RayVion UV-LED-ohjainlevy XE- ja XP1-sarjan UV-C-säteilijöille RayVio ™ ult...
Teollinen ja laajennettu koe DDR SDRAM Insignisin DDR SDRAM -laitteet takaavat toiminnon korotetuiss...
Sähköposti: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LISÄTÄ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Tekijänoikeusilmoitus © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Kaikki oikeudet pidätetään.