IXFN170N30P | |
---|---|
Osa numero | IXFN170N30P |
Valmistaja | IXYS Corporation |
Kuvaus | MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B |
Määrä saatavilla | 2975 pcs new original in stock. Pyydä Stock & Quotation |
ECAD -malli | |
lomakkeissa | |
IXFN170N30P Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat-tech.com |
IXFN170N30P: n tekniset tiedot | |||
---|---|---|---|
Valmistajan osanumero | IXFN170N30P | Kategoria | Discrete Semiconductor Products |
Valmistaja | IXYS Corporation | Kuvaus | MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B |
Pakkaus / kotelo | Tube | Määrä saatavilla | 2975 pcs |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA | teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package | SOT-227B | Sarja | Polar™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 85A, 10V | Tehonkulutus (Max) | 890W (Tc) |
Pakkaus | Tube | Pakkaus / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) | Asennustyyppi | Chassis Mount |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 20000pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 258nC @ 10V |
FET tyyppi | N-Channel | FET Ominaisuus | - |
Valua lähde jännite (Vdss) | 300V | Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 138A |
ladata | IXFN170N30P PDF - EN.pdf |
IXFN170N30P Varasto | IXFN170N30P Hinta | IXFN170N30P Elektroniikka | |||
IXFN170N30P-komponentit | IXFN170N30P Inventory | IXFN170N30P Digikey | |||
Toimittaja IXFN170N30P | Tilaa IXFN170N30P Online | Kysely IXFN170N30P | |||
IXFN170N30P Kuva | IXFN170N30P Kuva | IXFN170N30P PDF | |||
IXFN170N30P-tietosivu | Lataa IXFN170N30P-tietolomake | Valmistaja IXYS Corporation |
IXFN170N30P: n vastaavat osat | |||||
---|---|---|---|---|---|
Kuva | Osa numero | Kuvaus | Valmistaja | Saat lainata | |
IXFN180N20NT | IXYS New | IXYS | |||
IXFN180N06 | IGBT Modules | IXYS | |||
IXFN180N10 | MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B | IXYS | |||
IXFN1754 | IXYS New | IXYS | |||
IXFN180N07 | MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B | IXYS | |||
IXFN170N10 | MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B | IXYS | |||
IXFN170N65X2 | MOSFET N-CH | IXYS Corporation | |||
IXFN170N25X3 | MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B | IXYS Corporation | |||
IXFN150N15 | MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227 | IXYS | |||
IXFN160N30T | MOSFET N-CH 300V 130A SOT227 | IXYS | |||
IXFN150N10 | MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227 | IXYS | |||
IXFN180N20 | MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B | IXYS | |||
IXFN1704 | IGBT Modules | IXYS | |||
IXFN16N100 | IGBT Modules | IXYS | |||
IXFN17N80 | IGBT Modules | IXYS | |||
IXFN180N25T | MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227 | IXYS | |||
IXFN150N65X2 | MOSFET N-CH 650V 145A SOT-227 | IXYS | |||
IXFN15N100 | IGBT Modules | IXYS | |||
IXFN180N15P | MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B | IXYS | |||
IXFN14N60 | IGBT Modules | IXYS |
Uutiset
LisääRuotsin unioni, jos Metall ilmoitti 10. huhtikuuta, että Tesla -mekaniikan lakko on yksi maan pisimmistä työriitoista, ja se häiritsee edelleen Te...
Äskettäin suuret varastointivalmistajat, kuten Micron, Samsung ja Western Digital, ovat ilmoittaneet hinnankorotuksista.Teollisuuden sisäpiiriläis...
Ilmassa happipitoisuuden normaali tilavuusosuus on noin 20,9%, mutta kun happipitoisuus laskee tämän arvon alapuolelle, se voi johtaa hypoksiaan. Yl...
Äskettäin ASML: n (ASML: n hallussapito N.V.) mahdollisuuteen siirtämällä osan liiketoiminnastaan ulkomaille, Alankomaiden hallitus on ehdottanut...
Ensimmäisellä vuosineljänneksellä puolijohdeteollisuus on lähestymässä defektin loppua, muistin hinnat nousevat edelleen.Onko markkinoiden kysy...
Uudet tuotteet
LisääPD30-sarjan valokenno Carlo Gavazziin pienet valokennoiset anturit ovat suorituskykyisiä kompakteis...
XC112 / XR112 arviointisarja A111-pulssoitua koherentti-tutkaa varten Acconeerin XC112- ja XR112-arv...
MINAS A6-sarjan servomoottorit ja moottorit Panasonicin MINAS A6 -tuote varmistaa vakaan käytön v...
UV-LED-ohjainkortti RayVion UV-LED-ohjainlevy XE- ja XP1-sarjan UV-C-säteilijöille RayVio ™ ult...
Teollinen ja laajennettu koe DDR SDRAM Insignisin DDR SDRAM -laitteet takaavat toiminnon korotetuiss...
Sähköposti: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LISÄTÄ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.