| IPP023NE7N3 G | |
|---|---|
| Osa numero | IPP023NE7N3 G |
| Valmistaja | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Kuvaus | MOSFET N-CH 75V 120A TO220 |
| Määrä saatavilla | 32500 pcs new original in stock. Pyydä Stock & Quotation |
| ECAD -malli | |
| lomakkeissa | |
| IPP023NE7N3 G Price |
Pyydä hinta & lead time online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| IPP023NE7N3 G: n tekniset tiedot | |||
|---|---|---|---|
| Valmistajan osanumero | IPP023NE7N3 G | Kategoria | Discrete Semiconductor Products |
| Valmistaja | International Rectifier (Infineon Technologies) | Kuvaus | MOSFET N-CH 75V 120A TO220 |
| Pakkaus / kotelo | Tube | Määrä saatavilla | 32500 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 273µA | Vgs (Max) | ±20V |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | Toimittaja Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Sarja | OptiMOS™ | RDS (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 100A, 10V |
| Tehonkulutus (Max) | 300W (Tc) | Pakkaus | Tube |
| Pakkaus / Case | TO-220-3 | Käyttölämpötila | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole | Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 37.5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206nC @ 10V | FET tyyppi | N-Channel |
| FET Ominaisuus | - | Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 75V | Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| ladata | IPP023NE7N3 G PDF - EN.pdf | ||
Lähetä meille sähköpostia: Info@Ariat-Tech.com tai RFQ IPP023NE7N3 G Online.
| IPP023NE7N3 G Varasto | IPP023NE7N3 G Hinta | IPP023NE7N3 G Elektroniikka | |||
| IPP023NE7N3 G-komponentit | IPP023NE7N3 G Inventory | IPP023NE7N3 G Digikey | |||
| Toimittaja IPP023NE7N3 G | Tilaa IPP023NE7N3 G Online | Kysely IPP023NE7N3 G | |||
| IPP023NE7N3 G Kuva | IPP023NE7N3 G Kuva | IPP023NE7N3 G PDF | |||
| IPP023NE7N3 G-tietosivu | Lataa IPP023NE7N3 G-tietolomake | Valmistaja International Rectifier (Infineon Technologies) | |||
| IPP023NE7N3 G: n vastaavat osat | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Kuva | Osa numero | Kuvaus | Valmistaja | Saat lainata | |
 |
IPP023NE7N3G | MOSFET N-CH 75V 120A TO220 | International Rectifier (Infineon Technologies) | ||
 |
IPP027N08N5AKSA1 | MOSFET N-CH TO220-3 | Infineon Technologies | ||
|
IPP023NE7N3 G | MOSFET N-CH 75V 120A TO220 | Infineon Technologies | ||
|
IPP023N04NGXKSA1 | MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3 | Infineon Technologies | ||
 |
IPP023N04N G | IPP023N04N G VB | VB | ||
 |
IPP023N04N | IPP023N04N INFINEON | INFINEON | ||
|
IPP023NE7N3 | IPP023NE7N3 Original | Original | ||
|
IPP024N06N3 G | IPP024N06N3 G VB | VB | ||
|
IPP024N06N3GXKSA1 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 | Infineon Technologies | ||
|
IPP024N06N3GHKSA1 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 | Infineon Technologies | ||
|
IPP023N08N5AKSA1 | MOSFET N-CH TO220-3 | Infineon Technologies | ||
|
IPP027N08N5 | INFINEON TO-220 | INFINEON | ||
|
IPP023NE7N3GXKSA1 | MOSFET N-CH 75V 120A TO220 | International Rectifier (Infineon Technologies) | ||
|
IPP023N04NG | IPP023N04NG VB | VB | ||
|
IPP023N08N5 | INFINEON TO-220 | INFINEON | ||
|
IPP023N10N5 | IPP023N10N5 VB | VB | ||
|
IPP024N06N3G | IPP024N06N3G VB | VB | ||
|
IPP023NE7N | IPP023NE7N INFINEO | INFINEO | ||
|
IPP024N06N3G 024N06N | INFINEON TO-220 | INFINEON | ||
|
IPP023N10N5AKSA1 | MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 | Infineon Technologies | ||
Uutiset
Lisää
Äskettäin suuret varastointivalmistajat, kuten Micron, Samsung ja Western Digital, ovat ilmoittaneet hinnankorotuksista.Teollisuuden sisäpiiriläis...
Ilmassa happipitoisuuden normaali tilavuusosuus on noin 20,9%, mutta kun happipitoisuus laskee tämän arvon alapuolelle, se voi johtaa hypoksiaan. Yl...
Äskettäin ASML: n (ASML: n hallussapito N.V.) mahdollisuuteen siirtämällä osan liiketoiminnastaan ulkomaille, Alankomaiden hallitus on ehdottanut...
Ensimmäisellä vuosineljänneksellä puolijohdeteollisuus on lähestymässä defektin loppua, muistin hinnat nousevat edelleen.Onko markkinoiden kysy...
Matkustajaautojen alamarkkinoilla PHEV (plug-in-hybridi-sähköajoneuvojen) mallejen suosio jatkuu ennallaan.Markkinatiedot osoittavat, että tammikuu...
Uudet tuotteet
Lisää
PD30-sarjan valokenno Carlo Gavazziin pienet valokennoiset anturit ovat suorituskykyisiä kompakteis...
XC112 / XR112 arviointisarja A111-pulssoitua koherentti-tutkaa varten Acconeerin XC112- ja XR112-arv...
MINAS A6-sarjan servomoottorit ja moottorit Panasonicin MINAS A6 -tuote varmistaa vakaan käytön v...
UV-LED-ohjainkortti RayVion UV-LED-ohjainlevy XE- ja XP1-sarjan UV-C-säteilijöille RayVio ™ ult...
Teollinen ja laajennettu koe DDR SDRAM Insignisin DDR SDRAM -laitteet takaavat toiminnon korotetuiss...
Sähköposti: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LISÄTÄ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Tekijänoikeusilmoitus © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Kaikki oikeudet pidätetään.