Global Power Technologies Group | Valmistaja Global Power Technologies Group Global Power Technologies Group toimittaja Elektroninen komponenttijakelija Ariat-Tech.com: ssä

Electronics Components Distributor

Global Power Technologies Group

- Vuonna 2007 perustettu Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") on integroitu kehitys- ja valmistusyhtiö, joka on omistettu silikonikarbidipohjaisille (SiC) teknologioille. Nämä tuotteet ovat perustavia tehoelektroniikka- ja energiateollisuudelle tulevina vuosina, joissa tarvitaan kehittyneitä tekniikoita alhaisen kustannustason, tehokkaan sähköntuotannon, muuntamisen ja siirron kannalta.

Image

Part Number

Description

ECAD
Model

Quote

GSXF030A100S1-D3

DIODE FAST REC 1000V 30A SOT227

GDP30P120B

DIODE SCHOTTKY 1200V 81A TO247-2

GHIS060A120S-A1

IGBT BOOST CHP 1200V 120A SOT227

GP2D006A060C

DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-2

GHIS040A120S-A1

IGBT BOOST CHOP 1200V 80A SOT227

GSXF060A040S1-D3

DIODE FAST REC 400V 60A SOT227

GPA060A060MN-FD

IGBT 600V 120A 347W TO3PN

GP1M013A050H

MOSFET N-CH 500V 13A TO220

GP2M008A060FG

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

GDP15S120A

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO220-2

GSXD120A004S1-D3

DIODE SCHOTTKY 45V 120A SOT227

GHIS080A120S-A1

IGBT BOOST CHP 1200V 160A SOT227

GP2D012A060D

DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO263-2

GP2M007A080F

MOSFET N-CH 800V 7A TO220F

GHIS060A060S-A2

IGBT BUCK CHOP 600V 120A SOT227

GP2M005A060CG

MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK

GHXS020A060S-D4

DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227

GDP24D060B

DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO247-3

GP1M008A025CG

MOSFET N-CH 250V 8A DPAK

GP2D010A060A

SCHOTTKY DIODE 600V 10A TO-220-2

GP1M020A050N

MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

GSXF100A020S1-D3

DIODE FAST REC 200V 120AA SOT227

GP2D012A065A

DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2

GHXS010A060S-D1E

MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227

GSXD100A012S1-D3

DIODE SCHOTTKY 120V 100A SOT227

GHXS010A060S-D4

DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227

GSXD030A010S1-D3

DIODE SCHOTTKY 100V 30A SOT227

GP1M008A050FG

MOSFET N-CH 500V 8A TO220F

GDP06S060A

DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2

GP1M003A080FH

MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

GHXS060A120S-D4

DIODE SCHOT SBD 1200V 60A SOT227

GP2D008A120A

SCHOTTKY DIODE 1200V 8A TO-220-2

GSXD030A006S1-D3

DIODE SCHOTTKY 60V 30A SOT227

GP1M003A050CG

MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

GSXF100A040S1-D3

DIODE FAST REC 400V 100A SOT227

GHXS020A060S-D1E

MOD SBD BRIDGE 600V 20A SOT227

GSXF060A020S1-D3

DIODE FAST REC 200V 60A SOT227

GP1M003A040PG

MOSFET N-CH 400V 2A IPAK

GDP03S060C

DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-2

GDP60Z120E

DIODE SCHOTT 1.2KV 60A TO247-2

GDP15S120B

DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO247-2

GP1M018A020FG

MOSFET N-CH 200V 18A TO220F

GHIS080A060S1-E1

IGBT 600V 160A SOT227

GP2D050A060B

DIODE SCHOTTKY 600V 50A TO247-2

GP2D003A060A

DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO220-2

GSXD060A008S1-D3

DIODE SCHOTTKY 80V 60A SOT227

GP2D015A120B

DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO247-2

GDP03S060C

DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-2

GSXD060A004S1-D3

DIODE SCHOTTKY 45V 60A SOT227

GHXS030A060S-D4

DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227

Previous 2 3 4 8 Next

Yrityksen profiili Pätevyys Meidän edut Tietosuojakäytäntö

Laatu takuu Maksutapa Lähetystapa FAQ

Tiedustelu / tilaus Tuotelista Ota meihin yhteyttä

Sähköposti: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LISÄTÄ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.

Kieli:

Elektroniikkakomponenttien jakelija - IC-sirut ja IGBT-moduulitoimittaja - www.ariat-tech.com

Tekijänoikeusilmoitus © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Kaikki oikeudet pidätetään.